سامسونگ به دنبال تولید انبوه محصولات ۲ نانومتری مبتنی بر دروازه همهجانبه در سال ۲۰۲۵ است. انتظار میرود این فرآیند دروازه همهجانبه (GAA) به یک فناوری تغییردهنده بازی در این صنعت تبدیل شود.
پس از به کارگیری فناوری GAA در فرآیند ۳ نانومتری، سامسونگ قصد دارد آن را در سال ۲۰۲۳ به نسل دوم تراشههای ۳ نانومتری معرفی کند و در سال ۲۰۲۵ تراشههای ۲ نانومتری مبتنی بر GAA را تولید کند.
GAA یک فناوری فرآیند نسل بعدی است که ساختار ترانزیستور نیمه هادی را بهبود میبخشد به طوری که یک گیت میتواند با هر چهار طرف ترانزیستور تماس داشته باشد، در حالی که این دروازهها در حال حاضر از سه طرف در فرآیند FinFET فعلی تماس دارند. ساختار GAA میتواند جریان الکتریسیته را با دقت بیشتری نسبت به فرآیند FinFET کنترل کند.
TSMC تایوان ۵۲٫۱ درصد از بازار جهانی تولید تراشه را در سه ماهه چهارم سال ۲۰۲۱ به خود اختصاص داده است که بسیار بالاتر از ۱۸٫۳ درصد سامسونگ الکترونیکس است.
سامسونگ روی استفاده از فناوری GAA در فرآیند ۳ نانومتری سرمایهگذاری میکند تا بتواند از TSMC پیشی بگیرد. طبق گزارشها، غول نیمههادی کرهای ویفرها را در یک فرآیند سه نانومتری برای تولید انبوه آزمایشی در اوایل ژوئن قرار داد و اولین شرکتی در جهان شد که از فناوری GAA استفاده میکند. این شرکت به دنبال کاهش یکباره فاصله خود با TSMC از طریق یک جهش فناورانه است. یک فرآیند ۳ نانومتری عملکرد نیمه هادیها و کارایی باتری را به ترتیب ۱۵ و ۳۰ درصد افزایش میدهد، در حالی که در مقایسه با فرآیند ۵ نانومتری، سطح تراشه را تا ۳۵ درصد کاهش میدهد.
استراتژی TSMC قرار است در نیمه دوم سال جاری استفاده از فرآیند پایدار FinFET بازار نیمه هادیهای ۳ نانومتری باشه، در حالی که سامسونگ روی فناوری GAA سرمایهگذاری میکند.
اگر سامسونگ بازدهی پایداری را در فرآیند ۳ نانومتری مبتنی بر GAA تضمین کند، میتواند به یک تغییر دهنده بازی در بازار تراشه تبدیل شود. انتظار میرود TSMC یک فرآیند GAA را که از تراشههای ۲ نانومتری شروع میشود، معرفی کند و اولین محصول را در حدود سال ۲۰۲۶ عرضه کند. برای سامسونگ الکترونیک، سه سال آینده یک دوره مهم خواهد بود.
اخیراً سامسونگ اعلام کرده است که در مجموع ۴۵۰ تریلیون وون در صنایع کلیدی مانند نیمههادیها طی پنج سال آینده سرمایهگذاری خواهد کرد. با این حال، با موانع ۳ نانومتری مواجه است. مانند سامسونگ، TSMC نیز در افزایش بازده در فرآیندهای ۳ نانومتری مشکلاتی دارد.